APTGT25DA120D1G

Microsemi
IGBT 1200V 40A 140W D1
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์
APTGT25DA120D1G.pdf

เราสามารถจัดหา Microsemi APTGT25DA120D1G ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา APTGT25DA120D1G, Microsemi เอกสารข้อมูล PDF และเวลารอคอยสินค้า Zeanoit.com เป็นผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ ด้วยชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอยู่มากกว่า 3 ล้านรายการสามารถจัดส่งในระยะเวลาสั้น ๆ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มากกว่า 250,000 ชิ้นในสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีซึ่งอาจรวมถึงหมายเลขชิ้นส่วน APTGT25DA120D1G ราคาและเวลานำสำหรับ APTGT25DA120D1G ขึ้นอยู่กับปริมาณ ที่ต้องการความพร้อมใช้งานและที่ตั้งคลังสินค้า

Request Quote

ขนาด
ความคิดเห็น
การชำระเงิน
การส่งสินค้า
บรรจุภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.1V @ 15V, 25A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	D1
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	140W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	D1
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	1.8nF @ 25V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	Trench Field Stop
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	5mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	40A
องค์ประกอบ:	Single