| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.1V @ 1A |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 100V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-219AB (SMF) |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 1.8µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-219AB |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 100V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 700mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 4pF @ 4V, 1MHz |
S1FLD-M-18
DIODE SW 200V DO-219AB
S1FLD-M
S1FLB-GS08
DIODE SW 100V DO-219AB
S1FLB-GS18
DIODE SW 100V DO-219AB
S1FLD-GS18
DIODE SW 200V DO-219AB
S1F86200F0B000
S1FLB-M-08
DIODE SW 100V DO-219AB
S1FLD-M-08
DIODE SW 200V DO-219AB
S1FLD-GS08
DIODE SW 200V DO-219AB
S1FLB-M
SIT1602BC-33-18E-30.000000T
-20 TO 70C, 5032, 50PPM, 1.8V, 3
SIT1602BC-33-XXN-14.000000Y
-20 TO 70C, 5032, 50PPM, 2.25V-3
SIT1602BI-13-18E-33.300000E
-40 TO 85C, 2520, 50PPM, 1.8V, 3
SIT1602BC-72-28S-32.768000E
-20 TO 70C, 2016, 25PPM, 2.8V, 3
SIT8008BI-23-18E-5.350000D
OSC MEMS 5.3500MHZ LVCMOS SMD
SIT1602BI-72-25E-33.333300D
-40 TO 85C, 2016, 25PPM, 2.5V, 3
SIT1602BC-31-33E-25.000000T
OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD
SIT8008AC-72-33E-25.000000E
OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD
ASTMHTD-32.000MHZ-XK-E
OSC MEMS 32MHZ H/LVCMOS SMD
TB-13.513MCD-T
OSC MEMS 13.513MHZ CMOS SMD
